Антава

VISHAY

Транзистор SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4430BDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current20 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation3 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W

Документация

Документы пока не предоставлены.