VISHAY

Транзистор SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI4430BDY-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	20A
Pulsed drain current	60A
Power dissipation	3W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	6mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	36nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 60A; 3W

Документация

Документы пока не предоставлены.