Антава

VISHAY

Транзистор SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-15.7 A
Power dissipation
3.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%256,94 ₽

Сумма · с НДС 22%256,94 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1256,94 ₽
от 10140,28 ₽
от 50115,90 ₽
от 100105,78 ₽
от 50082,52 ₽
от 100072,58 ₽
от 250067,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4425DDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-15.7 A
Power dissipation3.6 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8

Документация

Документ производителя