Антава

VISHAY

Транзистор SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-12.3 A
Power dissipation
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 307 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%172,86 ₽

Сумма · с НДС 22%172,86 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1172,86 ₽
от 1079,71 ₽
от 10072,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4403DDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-12.3 A
Power dissipation3.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance14 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8

Документация

Документ производителя