Антава

VISHAY

Транзистор SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-11 A
Pulsed drain current
-80 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 323 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%288,72 ₽

Сумма · с НДС 22%288,72 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1288,72 ₽
от 5218,82 ₽
от 10188,24 ₽
от 100117,01 ₽
от 50091,75 ₽
от 100087,76 ₽
от 250084,53 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4401FDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-11 A
Pulsed drain current-80 A
Power dissipation3.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A

Документация

Документ производителя