Антава

VISHAY

Транзистор SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-16.1 A
Pulsed drain current
-50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 980 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%273,57 ₽

Сумма · с НДС 22%273,57 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1273,57 ₽
от 10171,27 ₽
от 100122,34 ₽
от 50089,59 ₽
от 100075,33 ₽
от 250066,85 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4401DDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-16.1 A
Pulsed drain current-50 A
Power dissipation4 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge95nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A

Документация

Документы пока не предоставлены.