Антава

VISHAY

Транзистор SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4386DY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current16 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.