Антава

VISHAY

Транзистор SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
7.4 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI4288DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current7.4 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8

Документация

Документ производителя