Антава

VISHAY

Транзистор SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
25V
Drain current
8A
Pulsed drain current
50A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI4228DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25V
Drain current8A
Pulsed drain current50A
Power dissipation2W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12V
On-state resistance24mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A; Idm: 50A; 2W

Документация

Документ производителя