Антава

VISHAY

Транзистор SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
7.5 A
Pulsed drain current
30 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI4214DDY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current7.5 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A

Документация

Документы пока не предоставлены.