VISHAY

Транзистор SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 35.8 A
Pulsed drain current: 70 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI4186DY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	35.8 A
Pulsed drain current	70 A
Рассеиваемая мощность	6 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	3.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	90nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W

Документация

Документы пока не предоставлены.