VISHAY

Транзистор SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI4164DY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	30A
Pulsed drain current	70A
Power dissipation	6W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	3.9mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	95nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W

Документация

Документы пока не предоставлены.