Антава

VISHAY

Транзистор SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
15.4 A
Рассеиваемая мощность
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 386 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%260,52 ₽

Сумма · с НДС 22%260,52 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1260,52 ₽
от 5200,97 ₽
от 10178,27 ₽
от 50134,72 ₽
от 100119,09 ₽
от 50088,76 ₽
от 100077,97 ₽
от 250065,32 ₽
от 750060,85 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4162DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current15.4 A
Рассеиваемая мощность3.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8

Документация

Документ производителя