Антава

VISHAY

Транзистор SI4155DY-T1-GE3

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Рассеиваемая мощность
2.5 W
Gate-source voltage
±25 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Kind of channel
enhancement
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%83,59 ₽

Сумма · с НДС 22%208 975,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 250083,59 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4155DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
Рассеиваемая мощность2.5 W
Gate-source voltage±25 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; 2.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.