Антава

VISHAY

Транзистор SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
11.2 A
Power dissipation
3.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 922 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%240,82 ₽

Сумма · с НДС 22%240,82 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1240,82 ₽
от 10156,82 ₽
от 50116,17 ₽
от 100101,34 ₽
от 50072,82 ₽
от 100062,42 ₽
от 250050,28 ₽
от 500046,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI4134DY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current11.2 A
Power dissipation3.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8

Документация

Документ производителя