VISHAY

Транзистор SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 20.5 A
Pulsed drain current: 50 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI4124DY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	20.5 A
Pulsed drain current	50 A
Power dissipation	5.7 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	77nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20.5A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.