VISHAY

Транзистор SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI4116DY-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	25V
Drain current	18A
Pulsed drain current	50A
Power dissipation	5W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±12V
On-state resistance	11.5mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	56nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 18A; Idm: 50A; 5W

Документация

Документы пока не предоставлены.