Антава

VISHAY

Транзистор SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI4114DY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current20 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation5.7 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge95nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 20A; Idm: 50A; 5.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.