Антава

VISHAY

Транзистор SI3932DV-T1-GE3

SI3932DV-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.7 A
Pulsed drain current
15 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI3932DV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.7 A
Pulsed drain current15 A
Рассеиваемая мощность1.4 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance73 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.7A; Idm: 15A

Документация

Документы пока не предоставлены.