Антава

VISHAY

Транзистор SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20 V
Drain current
3.1/-1.7 A
Power dissipation
0.9/8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 984 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%162,23 ₽

Сумма · с НДС 22%162,23 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1162,23 ₽
от 1092,62 ₽
от 5070,55 ₽
от 10063,76 ₽
от 50051,88 ₽
от 100048,10 ₽
от 300043,58 ₽
от 600041,31 ₽
от 900040,18 ₽
от 1200039,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI3585CDV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20 V
Drain current3.1/-1.7 A
Power dissipation0.9/8 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance78/316 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.8/9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A

Документация

Документ производителя