Антава

VISHAY

Транзистор SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3
Type of transistor
N/P-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
2.5/-1.8 A
Pulsed drain current
-7...8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI3552DV-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN/P-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current2.5/-1.8 A
Pulsed drain current-7...8 A
Power dissipation1.15 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance360/175 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge3.6/3.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A

Документация

Документы пока не предоставлены.