VISHAY

Транзистор SI3499DV-T1-BE3

SI3499DV-T1-BE3

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -20A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI3499DV-T1-BE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-8V
Drain current	-7A
Pulsed drain current	-20A
Power dissipation	2W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±5V
On-state resistance	48mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	42nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.