VISHAY

Транзистор SI3493BDV-T1-E3

SI3493BDV-T1-E3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -8 A
Pulsed drain current: -25 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI3493BDV-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-8 A
Pulsed drain current	-25 A
Power dissipation	2.97 W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	45 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	43.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A

Документация

Документы пока не предоставлены.