VISHAY

Транзистор SI3477DV-T1-GE3

SI3477DV-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12 V
Drain current: -8 A
Pulsed drain current: -40 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI3477DV-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12 V
Drain current	-8 A
Pulsed drain current	-40 A
Power dissipation	4.2 W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	33 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	90nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -40A

Документация

Документы пока не предоставлены.