Антава

VISHAY

Транзистор SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
4.6 A
Pulsed drain current
18 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI3476DV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current4.6 A
Pulsed drain current18 A
Рассеиваемая мощность3.6 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance126 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A

Документация

Документы пока не предоставлены.