Антава

VISHAY

Транзистор SI3476DV-T1-BE3

SI3476DV-T1-BE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
3.7 A
Pulsed drain current
18 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI3476DV-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current3.7 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation3.6 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance93 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 3.7A; Idm: 18A

Документация

Документы пока не предоставлены.