VISHAY

Транзистор SI3474DV-T1-GE3

SI3474DV-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 3.8 A
Pulsed drain current: 14 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI3474DV-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	3.8 A
Pulsed drain current	14 A
Power dissipation	2.33 W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	126 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	10.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.8A; Idm: 14A

Документация

Документы пока не предоставлены.