Антава

VISHAY

Транзистор SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-12 V
Drain current
-8 A
Pulsed drain current
-20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 539 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%208,07 ₽

Сумма · с НДС 22%208,07 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1208,07 ₽
от 5154,51 ₽
от 10121,04 ₽
от 2583,05 ₽
от 5065,31 ₽
от 10056,09 ₽
от 300049,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI3473CDV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12 V
Drain current-8 A
Pulsed drain current-20 A
Рассеиваемая мощность4.2 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.