VISHAY

Транзистор SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -20A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI3473CDV-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-8A
Pulsed drain current	-20A
Power dissipation	4.2W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	36mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	65nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.