Антава

VISHAY

Транзистор SI3464DV-T1-GE3

SI3464DV-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI3464DV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current8 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation3.6 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8A; Idm: 20A; 3.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.