Антава

VISHAY

Транзистор SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
7.9 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 089 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%129,07 ₽

Сумма · с НДС 22%129,07 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1129,07 ₽
от 1064,53 ₽
от 2558,45 ₽
от 5054,21 ₽
от 10049,78 ₽
от 50040,01 ₽
от 100035,77 ₽
от 300029,32 ₽
от 600025,08 ₽
от 900022,68 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI3460DDV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current7.9 A
Pulsed drain current20 A
Рассеиваемая мощность1.7 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.