Антава

VISHAY

Транзистор SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4.1 A
Pulsed drain current
10 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 15 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%190,19 ₽

Сумма · с НДС 22%190,19 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1190,19 ₽
от 10145,44 ₽
от 100100,69 ₽
от 50079,81 ₽
от 100073,09 ₽
от 300064,89 ₽
от 600060,60 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI3458BDV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current4.1 A
Pulsed drain current10 A
Рассеиваемая мощность3.3 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance128 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A

Документация

Документы пока не предоставлены.