Антава

VISHAY

Транзистор SI3443CDV-T1-E3

SI3443CDV-T1-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-4.6A
Pulsed drain current
-20A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI3443CDV-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-4.6A
Pulsed drain current-20A
Power dissipation3.2W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance0.1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.