Антава

VISHAY

Транзистор SI3440ADV-T1-GE3

SI3440ADV-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
2.2A
Pulsed drain current
4A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI3440ADV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current2.2A
Pulsed drain current4A
Power dissipation3.6W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20V
On-state resistance432mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 4A

Документация

Документы пока не предоставлены.