VISHAY

Транзистор SI3437DV-T1-GE3

SI3437DV-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI3437DV-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-150V
Drain current	-1.4A
Pulsed drain current	-5A
Power dissipation	3.2W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	790mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	19nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A

Документация

Документы пока не предоставлены.