VISHAY

Транзистор SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 2.4 A
Pulsed drain current: 8 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI3430DV-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	2.4 A
Pulsed drain current	8 A
Рассеиваемая мощность	2 W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.185 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.