Антава

VISHAY

Транзистор SI3430DV-T1-E3

SI3430DV-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
2.4A
Pulsed drain current
8A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI3430DV-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current2.4A
Pulsed drain current8A
Power dissipation2W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.185Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.