Антава

VISHAY

Транзистор SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-8 A
Pulsed drain current
-40 A
Power dissipation
2.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI3429EDV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-8 A
Pulsed drain current-40 A
Power dissipation2.7 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance38 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge43.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; ESD

Документация

Документ производителя