Антава

VISHAY

Транзистор SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-8 A
Pulsed drain current
-50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 516 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%171,55 ₽

Сумма · с НДС 22%171,55 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1171,55 ₽
от 10102,00 ₽
от 2090,81 ₽
от 5078,13 ₽
от 10069,92 ₽
от 50054,82 ₽
от 100049,60 ₽
от 150046,62 ₽
от 300042,89 ₽
от 600041,21 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI3421DV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-8 A
Pulsed drain current-50 A
Рассеиваемая мощность2.7 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge69nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A

Документация

Документы пока не предоставлены.