VISHAY

Транзистор SI3417DV-T1-GE3

SI3417DV-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -8 A
Pulsed drain current: -50 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI3417DV-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-8 A
Pulsed drain current	-50 A
Рассеиваемая мощность	2.7 W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	25.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	50nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A

Документация

Документы пока не предоставлены.