Антава

VISHAY

Транзистор SI3407DV-T1-GE3

SI3407DV-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-8 A
Pulsed drain current
-25 A
Рассеиваемая мощность
4.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 318 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%148,39 ₽

Сумма · с НДС 22%148,39 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1148,39 ₽
от 1075,30 ₽
от 5061,37 ₽
от 10056,24 ₽
от 50047,27 ₽
от 100045,43 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI3407DV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-8 A
Pulsed drain current-25 A
Рассеиваемая мощность4.2 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance32.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W

Документация

Документ производителяДокумент производителя