VISHAY

Транзистор SI3129DV-T1-GE3

SI3129DV-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80 V
Drain current: -5.4 A
Pulsed drain current: -20 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI3129DV-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-80 V
Drain current	-5.4 A
Pulsed drain current	-20 A
Power dissipation	4.2 W
Корпус	SC74, TSOP6
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	124.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	18nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -5.4A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.