Антава

VISHAY

Транзистор SI3122DV-T1-GE3

SI3122DV-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.78 A
Pulsed drain current
8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI3122DV-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.78 A
Pulsed drain current8 A
Рассеиваемая мощность1.34 W
КорпусSC74, TSOP6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge2.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.78A; Idm: 8A

Документация

Документы пока не предоставлены.