VISHAY

Транзистор SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -6 A
Pulsed drain current: -20 A
Рассеиваемая мощность: 1.6 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI2399DS-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-6 A
Pulsed drain current	-20 A
Рассеиваемая мощность	1.6 W
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	34 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.