Антава

VISHAY

Транзистор SI2393DS-T1-GE3

SI2393DS-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-7.5 A
Pulsed drain current
-50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 431 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%129,66 ₽

Сумма · с НДС 22%129,66 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1129,66 ₽
от 1086,75 ₽
от 2570,93 ₽
от 5060,82 ₽
от 10052,82 ₽
от 50039,66 ₽
от 100036,04 ₽
от 150034,13 ₽
от 300031,65 ₽
от 900028,60 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2393DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-7.5 A
Pulsed drain current-50 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSOT23
On-state resistance33 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A

Документация

Документы пока не предоставлены.