Антава

VISHAY

Транзистор SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3.1 A
Pulsed drain current
8 A
Power dissipation
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 505 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%193,71 ₽

Сумма · с НДС 22%193,71 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1193,71 ₽
от 5148,95 ₽
от 10116,79 ₽
от 10044,38 ₽
от 300037,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2392ADS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3.1 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation1.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance126 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.