VISHAY

Транзистор SI2387DS-T1-GE3

SI2387DS-T1-GE3

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80 V
Drain current: -3 A
Pulsed drain current: -10 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI2387DS-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-80 V
Drain current	-3 A
Pulsed drain current	-10 A
Power dissipation	2.5 W
Корпус	SOT23
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	242 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	10.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -3A; Idm: -10A

Документация

Документы пока не предоставлены.