Антава

VISHAY

Транзистор SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.7 A
Pulsed drain current
25 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%95,80 ₽

Сумма · с НДС 22%95,80 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 195,80 ₽
от 1060,49 ₽
от 5041,89 ₽
от 10036,07 ₽
от 50027,24 ₽
от 100025,17 ₽
от 300024,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2374DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.7 A
Pulsed drain current25 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance41 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23

Документация

Документ производителя