Антава

VISHAY

Транзистор SI2367DS-T1-BE3

SI2367DS-T1-BE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-3.8 A
Pulsed drain current
-15 A
Power dissipation
1.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI2367DS-T1-BE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-3.8 A
Pulsed drain current-15 A
Power dissipation1.7 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance66 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -15A; 1.7W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.