Антава

VISHAY

Транзистор SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
5.8 A
Pulsed drain current
20 A
Power dissipation
1.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 208 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%153,65 ₽

Сумма · с НДС 22%153,65 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1153,65 ₽
от 1098,34 ₽
от 5068,57 ₽
от 10059,35 ₽
от 50044,17 ₽
от 100039,76 ₽
от 300034,38 ₽
от 600031,88 ₽
от 900030,73 ₽
от 1200030,15 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI2366DS-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current5.8 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation1.3 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance36 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.